Samsung, 50 nanometre (nm) işlemci teknolojisi kullanarak dünyanın ilk 4GB’lik DDR3 DRAM modülünü geliştirdi.
Kullandıkları sunucuların sayılarını azaltmanının yollarını arayan veri merkezleri için düşük enerjiyle çalışan 4Gb DDR3’ün önemi çok daha büyük. Yeni bellek modülleri sadece maliyetleri düşürmede değil, sunucuların zaman yönetimini geliştirmede ve verimliliği arttırmada da oldukça önemli bir rol oynuyor.
Yeni nesil “çevreci” sunucular için 4Gb DDR3’lerin yüksek kapasitesi ve düşük enerji tüketimi elektrik faturalarının yanında, güç kaynağı ve soğutucu ekipman kurulum ücretleri, bakım ücretleri ve tamir ücretlerinde de tasarruf edilmesine olanak sağlayacak.
4Gb DDR3, sunuculara yönelik olarak 16 gigabit(GB) çakıştırılmış çift bellek modülü (RDIMM) içinde oluşturulabileceği gibi, iş istasyonları ve masaüstü bilgisayarlara yönelik olarak 8 gigabit (GB) DIMM(UDIMM) ve dizüstü bilgisayarlara yönelik olarak da 8GB küçük DIMM (SODIMM) içinde oluşturulabiliyor. Çift damga paketleme teknolojisini uygulayarak, bu yeni cihaz 32 GB kapasiteye kadar modül sunabiliyor ve önceki nesil modüllerdeki yoğunluk düzeyi olan 2Gb kapasiteye oranla iki kat kapasite sunuyor.
Düşük enerji tüketimi için özel olarak tasarlanan 4GB DDR3 DRAN 1.35 voltla çalışıyor ve 1.5V’la çalışan DDR3’e göre %20 daha çok iş üretiyor. Maksimum hızı saniyede 1.6 gigabite ulaşıyor. (Gbps)
16GB’lik modül konfigürasyonlarında, 4Gb DDR3, 2GB DDR3’ler oranla yüzde 40 daha az enerji tüketiyor. Bu yüksek yoğunluğa sahip olması ve 2 Gb DDR3’e göre DRAM’ın yalnızca yarısını kullanmasından kaynaklanıyor. (64 yongaya karşın 32 yonga)
Daha yüksek yoğunluklu DDR3’ün üretimi için 50nm işlemci teknolojisine girişken bir geçiş yapan Samsung, yüksek hacimli/yüksek performanslı DRAM alanında liderliğini korumaya niyetli.
Samsung 2008 senesinin Eylül ayında dünyanın ilk 50 nm işlemci teknolojisiyle üretilen 2GB’lık DDR3 DRAM’ını duyurmuştu. Bundan yalnızca beş ay sonra 50 nm işlemci teknolojisiyle üretilen (4Gb 2Gb, 1Gb) sektörün en kapsamlı yüksek performanslı DDR3 ürünlerini pazara sundu.
Tahminler, sunucu başına düşen bellek kapasitesinin her iki senede bir iki katına çıkması gerektiğini öngörürken, yüksek yoğunluklu DRAM’ın geliştirilmiş olması bu artış ihtiyacına ve bunun yanısıra dizüstü ve masaüstü bilgisayarların bellekle ilgili gereksinimlerine karşılık verecek.
Dünyaca tanınan pazar araştırması ve analiz kuruluşu IDC’ye göre (Uluslararası Veri Kuruluşu) dünya DDR3 DRAM pazarı 2009’da toplam DRAM pazarının yüzde 29’unu ve 2011’de de yüzde 75’ini teşkil edecek. IDC ayrıca 2GB- ya da daha yüksek kapasiteli DDR3 DRAM’ın toplam DRAM pazarının 2009’da yüzde 3’ünü, 2011’de ise yüzde 33’ünü teşkil edeceğini öngörüyor.
Facebook Profilinde Paylaşmak İçin Tıkla
